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2SK1618(S)TR

更新时间: 2024-11-12 18:49:39
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
1页 100K
描述
3A, 600V, 5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

2SK1618(S)TR 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.31
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):3 A最大漏源导通电阻:5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1618(S)TR 数据手册

  

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