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2SK1381

更新时间: 2024-11-27 22:45:07
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东芝 - TOSHIBA 晶体转换器继电器晶体管功率场效应晶体管开关脉冲电机驱动DC-DC转换器局域网
页数 文件大小 规格书
5页 261K
描述
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED SWITCHNG, RELAY DRIVE, MOTOR DRIVE AND DC-DC CONVERTER APPLICATIONS)

2SK1381 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:End Of Life包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.34
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):50 A最大漏极电流 (ID):50 A
最大漏源导通电阻:0.046 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):150 W最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1381 数据手册

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