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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK1398-A
2SK1398-A PDF预览

2SK1398-A

更新时间： 2024-11-28 13:04:27
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 开关
页数 文件大小 规格书
8页 54K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SST, 3 PIN

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2SK1398-A 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.84其他特性：GATE PROTECTED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：50 V
最大漏极电流 (ID)：0.1 A最大漏源导通电阻：40 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK1398-A 数据手册

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DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK1398  
N-CHANNEL MOS FET  
FOR HIGH SPEED SWITCHING  
★
ORDERING INFORMATION  
DESCRIPTION  
The 2SK1398 is N-channel MOS Field Effect Transistor  
designed for a high-speed switching device in digital circuits.  
The 2SK1398 is driven by a 2.5-V power source, it is  
suitable for applications including headphone stereos  
which need power saving.  
PART NUMBER  
2SK1398  
PACKAGE  
SST  
FEATURES  
• Directly driven by ICs having a 3-V power supply.  
• Not necessary to consider driving current because of its high input impedance.  
• Possible to reduce the number of parts by omitting the bias resistor.  
• Can be used complementary with the 2SJ184.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
50  
±7.0  
V
V
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
D(DC)  
Drain Current (DC)  
I
±100  
mA  
mA  
mW  
°C  
Drain Current (pulse) Note  
Total Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
D(pulse)  
I
±200  
T
P
250  
ch  
T
150  
stg  
T
–55 to +150  
°C  
Note PW ≤ 10 ms, Duty cycle ≤ 50 %  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No. D14772EJ2V0DS00 (2nd edition)  
(Previous No. TC-2342)  
Date Published March 2000 NS CP(K)  
Printed in Japan  
The mark ★ shows major revised points.  
1991, 2000  
©
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Can be driven by a 3.0-V power source Possible to reduce the number of parts by omitting t
2SK1399-A RENESAS

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 		100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-59, 3 PIN
2SK1399-AT RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-59
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