是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | , | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.87 | Is Samacsys: | N |
配置: | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.1 A |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 0.2 W | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK1399-T2B-AT | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,50V V(BR)DSS,100MA I(D),SC-59 | |
2SK1400 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1400 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1400|2SK1400A | ETC |
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2SK1400A | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET | |
2SK1400A | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1400A_10 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | |
2SK1400A-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1400-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET | |
2SK1401 | HITACHI |
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Silicon N-Channel MOS FET |