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2SK1387MR

更新时间: 2024-11-28 20:27:35
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富士电机 - FUJI 局域网晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 107K
描述
Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F15, 3 PIN

2SK1387MR 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220F15
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.75Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):35 A最大漏源导通电阻:0.056 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:40 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):760 ns最大开启时间(吨):99 ns
Base Number Matches:1

2SK1387MR 数据手册

  
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