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2SK1307-E

更新时间: 2024-11-21 06:25:39
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1307-E 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.19外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):20 A最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.12 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):80 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1307-E 数据手册

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2SK1307  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0926-0200  
(Previous: ADE-208-1265)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
4 V gate drive device  
Can be driven from 5 V source  
Suitable for motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003AD-A  
(Package name: TO-220FM)  
D
G
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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