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2SK1277

更新时间： 2024-01-21 12:02:09

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富士电机 - FUJI		/
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2页	208K
描述
N-Channel MOS-FET(250V, 0.12Ohm, 30A, 150W)

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2SK1277 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-3P
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	其他特性：	FREDFET
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	30 A	最大漏源导通电阻：	0.12 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	150 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	最大关闭时间（toff）：	900 ns
最大开启时间（吨）：	260 ns

2SK1277 数据手册

N-channel MOS-FET

250V 0,12W 30A 150W

2SK1277

F-V Series

> Characteristics

Typical Output Characteristics

Drain-Source-On-State Resistance vs. T_ch

Typical Transfer Characteristics

•

V_DS[V] ®

T_ch[°C] ®

V_GS[V] ®

Typical Drain-Source-On-State-Resistance vs. I_D

Typical Forward Transconductance vs. I_D

Gate Threshold Voltage vs. T_ch

•

4 4

•

I_D[A] ®

T_ch[°C] ®

Typical Capacitance vs. V_DS

Typical Input Charge

Forward Characteristics of Reverse Diode

•

V_DS[V] ®

Q_g[nC] ®

V_SD[V] ®

Allowable Power Dissipation vs. T_C

Safe operation area

•

Transient Thermal impedance

•

T_c[°C] ®

V_DS[V] ®

t [s] ®

This specification is subject to change without notice!

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