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2SK1155

更新时间: 2024-01-28 17:46:12
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日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
9页 51K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

2SK1155 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:SC-46, 3 PIN针数:4
Reach Compliance Code:compliantFactory Lead Time:1 week
风险等级:5.35外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:1.4 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e2湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:TIN COPPER端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1155 数据手册

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2SK1155, 2SK1156  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
Drain to source voltage  
2SK1155  
2SK1156  
VDSS  
450  
V
500  
Gate to source voltage  
Drain current  
VGSS  
±30  
V
ID  
5
A
1
Drain peak current  
ID(pulse)  
*
20  
A
Body to drain diode reverse drain current  
Channel dissipation  
IDR  
5
A
Pch*2  
Tch  
50  
W
°C  
°C  
Channel temperature  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
Note: 1. PW 10 µs, duty cycle 1%  
2. Value at TC = 25°C  
2

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