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2SK1155

更新时间： 2024-01-05 15:42:29

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日立 - HITACHI		/
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9页	51K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1155 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-46, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.35	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1155 数据手册

2SK1155, 2SK1156

Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Item

Symbol Min

Typ

Max

Unit

Test conditions

Drain to source

breakdown voltage

2SK1155 V_(BR)DSS450

—

I_D= 10 mA, V_GS= 0

2SK1156

500

Gate to source breakdown

voltage

V_(BR)GSS±30

—

I_G= ±100 µA, V_DS= 0

Gate to source leak current

I_GSS

—

±10

µA

V_GS= ±25 V, V_DS= 0

V_DS= 360 V, V_GS= 0

V_DS= 400 V, V_GS= 0

I_D= 1 mA, V_DS= 10 V

I_D= 2.5 A, V_GS= 10 V *¹

Zero gate voltage

drain current

2SK1155 I_DSS

2SK1156

250

Gate to source cutoff voltage

Static Drain to source 2SK1155 R_DS(on)

on stateresistance 2SK1156

V_GS(off)

2.0

—

2.5

—

3.0

1.4

1.5

—

1.0

1.2

4.0

640

160

Ω

Forward transfer admittance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

|yfs|

Ciss

Coss

Crss

t_d(on)

t_r

I_D= 2.5 A, V_DS= 10 V *¹

V_DS= 10 V, V_GS= 0,

f = 1 MHz

I_D= 2.5 A, V_GS= 10 V,

R_L= 12 Ω

Turn-off delay time

Fall time

t_d(off)

t_f

Body to drain diode forward

voltage

V_DF

0.95

I_F= 5 A, V_GS= 0

Body to drain diode reverse

recovery time

t_rr

—

300

—

I_F= 5 A, V_GS= 0,

di_F/dt = 100 A/µs

Note: 1. Pulse test

1 234 5 6 7...9

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2SK1155 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2SK1155-E	RENESAS	功能相似	Silicon N Channel MOS FET
2SK1155	RENESAS	功能相似	Silicon N Channel MOS FET
2SK2543	TOSHIBA	功能相似	N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH VOLTAGE SWITCHING, SWITCHING REGULATOR APPLICATIONS)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1155\|2SK1156	ETC	获取价格
2SK1155-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1156	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1156	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK1156-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1157	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1157	HITACHI	获取价格	Silicon N-Channel MOS FET
2SK1157\|2SK1158	ETC	获取价格
2SK1157-E	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET
2SK1158	RENESAS	获取价格	Silicon N Channel MOS FET

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