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2SK1155

更新时间： 2024-02-12 22:34:24

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日立 - HITACHI		/
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9页	51K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1155 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-46, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.35	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1155 数据手册

2SK1155, 2SK1156

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

Pulse Test

5, 10 V

0.4

V_GS= 0, –10 V

1.2 1.6

0.8

2.0

Source to Drain Voltage V_SD(V)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

T_C= 25°C

D = 1

0.5

1.0

0.3

0.1

0.2

θch–c (t) = γ_S(t) · θch–c

θch–c = 2.50°C/W, T_C= 25°C

0.1

0.05

P_DM

0.02

D =

0.03

0.01

10 µ

100 µ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (s)

Switching Time Test Circuit

Vin Monitor

Wavewforms

90 %

Vout Monitor

R_L

D.U.T

Vin

10 %

Vout

50 Ω

90 %

d (off)

90 %

Vin = 10 V

V_DD= 30 V

d (on)

1...4 5 678 9

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