Datasheet > 2SK1155

2SK1155

更新时间： 2024-02-17 21:51:43

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
9页	51K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SK1155 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-46, 3 PIN	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.35	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	5 A	最大漏极电流 (ID)：	5 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1155 数据手册

2SK1155, 2SK1156

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Body to Drain Diode Reverse

Recovery Time

1,000

100

5,000

di/dt = 100 A/µs, Ta = 25°C

Ciss

V_GS= 0

f = 1 MHz

_GS= 0

2,000

1,000

500

Pulse Test

Coss

200

100

Crss

0.1 0.2

0.5 1.0

Reverse Drain Current I_DR(A)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Switching Characteristics

Dynamic Input Characteristics

500

200

500

400

300

200

100

•

V_DD= 100 V

250 V

V_GS= 10 V V_DD= 30 V

•

PW = 2 µs, duty < 1%

V_DS

400 V

100

t_{d (off)}

t_f

V_GS

I_D= 5 A

t_r

V_DD= 400 V

250 V

100 V

t_{d (on)}

0.1 0.2

0.5 1.0

Drain Current I_D(A)

Gate Charge Qg (nc)

1...3 4 567 8 9

下载PDF

与2SK1155相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1155\|2SK1156	ETC		获取价格
2SK1155-E	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格
2SK1156	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格
2SK1156	HITACHI	Silicon N-Channel MOS FET	获取价格
2SK1156-E	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格
2SK1157	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格