是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | SC-46, 3 PIN |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.33 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 450 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 7 A |
最大漏极电流 (ID): | 7 A | 最大漏源导通电阻: | 0.8 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 | JESD-609代码: | e2 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 60 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 28 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Copper (Sn/Cu) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
2SK1157|2SK1158 | ETC |
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2SK1157-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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2SK1158 | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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2SK1158 | HITACHI | Silicon N-Channel MOS FET |
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2SK1158-E | RENESAS | Silicon N Channel MOS FET |
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2SK1159 | HITACHI | Silicon N-Channel MOS FET |
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