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2SK1158-E

更新时间: 2024-02-13 17:33:27
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 83K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1158-E 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:TO-220AB包装说明:SC-46, 3 PIN
针数:4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.2Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V最大漏极电流 (Abs) (ID):7 A
最大漏极电流 (ID):7 A最大漏源导通电阻:0.9 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e2
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):60 W最大脉冲漏极电流 (IDM):28 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子面层:TIN COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1158-E 数据手册

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2SK1153, 2SK1154  
Silicon N Channel MOS FET  
REJ03G0908-0200  
(Previous: ADE-208-1246)  
Rev.2.00  
Sep 07, 2005  
Application  
High speed power switching  
Features  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0004AC-A  
(Package name: TO-220AB)  
D
G
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
1
2
3
S
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 6  

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