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2SK1161

更新时间： 2024-11-22 22:45:07
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日立 - HITACHI 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
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6页 37K
描述
Silicon N-Channel MOS FET

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2SK1161, 2SK1162  
Silicon N-Channel MOS FET  
Application  
High speed power switching  
Features  
•
•
•
•
•
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
Outline  
TO-3P  
D
1
G
2
3
1. Gate  
2. Drain  
(Flange)  
3. Source  
S
123456

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