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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 20 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1112TE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 5 A, 60 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1113 | TOSHIBA |
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2SK1113 |
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| 2SK1113TE16L | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 120 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1113TE16R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 3 A, 120 V, 0.6 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK1114 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 12 A, 60 V, 0.13 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1115 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 20 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1116 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 25 A, 100 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1117 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1118 | TOSHIBA |
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N Channel MOS Type(for High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Div |
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| 2SK1119 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE AP |
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