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2SK1115

更新时间: 2024-10-28 19:44:23
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 43K
描述
TRANSISTOR 20 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power

2SK1115 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.84其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (ID):20 A
最大漏源导通电阻:0.09 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:60 W
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK1115 数据手册

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TOSHIBA  
TOSHIBA  
POWER MOSFETs  
1Q, 1999  
Alphanumerically  

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