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2SK1117

更新时间: 2024-02-28 19:02:14
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 43K
描述
TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpose Power

2SK1117 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.8
Is Samacsys:N外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):6 A最大漏源导通电阻:1.25 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:100 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK1117 数据手册

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TOSHIBA  
TOSHIBA  
POWER MOSFETs  
1Q, 1999  
Alphanumerically  

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