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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.76 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.001 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK1132 | NEC | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK1133 | NEC | N-CHANNEL MOS FET FOR HIGH SPEED SWITCHING |
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| 2SK1133 | KEXIN | MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK1133 | TYSEMI | Directly driven by Ics having a 5V power source. |
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| 2SK1133-A | RENESAS | 100mA, 50V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD, SC-59, 3 PIN |
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| 2SK1133-L | RENESAS | 2SK1133-L |
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