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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1151(S)TL

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2SK1151(S)TL

更新时间： 2024-01-28 19:23:15

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
9页	51K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SK1151(S)TL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SC-63, DPAK-3/2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	5.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK1151(S)TL 数据手册

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2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S)

Silicon N-Channel MOS FET

Application

High speed power switching

Features

•

•

•

•

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

No secondary breakdown

Suitable for switching regulator and DC-DC converter

Outline

DPAK-1

4

4

1

2

3

1

2

3

D

1. Gate

G

2. Drain

3. Source

4. Drain

S

12 3 4 5 6 7...9

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与2SK1151(S)TL相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1151(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2SK1151(S)TR	RENESAS	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2SK1151_11	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格
2SK1151L	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格
2SK1151L	HITACHI	Silicon N-Channel MOS FET	获取价格
2SK1151L-E	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格

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