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2SK1151(S)TL

更新时间： 2024-01-01 15:29:35

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日立 - HITACHI		/
页数	文件大小	规格书
9页	51K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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2SK1151(S)TL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SC-63, DPAK-3/2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	5.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK1151(S)TL 数据手册

2SK1151(L)(S), 2SK1152(L)(S)

Body to Drain Diode Reverse

Recovery Time

Typical Capacitance

vs. Drain to Source Voltage

1,000

100

V_GS= 0

f = 1 MHz

di/dt = 100A/µs, Ta = 25°C

500

_GS= 0

Ciss

Pulse Test

200

100

Coss

Crss

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

Reverse Drain Current I_DR(A)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Switching Characteristics

Dynamic Input Characteristics

100

500

400

300

•

V_GS= 10 V V_DD= 30 V

100 V

250 V

•

PW = 2 µs, duty < 1%

V_DS

400 V

t_{d (off)}

t_f

V_GS

200

100

t_{d (on)}

t_r

I_D= 1.5 A

V_DD= 400 V

250 V

100 V

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

Drain Current I_D(A)

Gate Charge Qg (nc)

1...3 4 567 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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