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2SK1152S

更新时间： 2024-02-14 13:35:14
品牌 Logo 应用领域
TYSEMI 晶体开关晶体管脉冲ISM频段驱动
页数 文件大小 规格书
1页 149K
描述
Low on-resistance High speed switching Low drive current No secondary breakdown

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2SK1152S 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.27Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.5 A
最大漏极电流 (ID)：1.5 A最大漏源导通电阻：6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e6湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：6 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：TIN BISMUTH端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：20
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK1152S 数据手册

  
TransistIoCrs  
Product specification  
2SK1152S  
TO-252  
Unit: mm  
Features  
+0.15  
-0.15  
+0.1  
2.30  
-0.1  
6.50  
+0.2  
5.30  
-0.2  
+0.8  
0.50  
-0.7  
Low on-resistance  
High speed switching  
Low drive current  
0.127  
max  
+0.1  
0.80  
-0.1  
No secondary breakdown  
Suitable for switching regulator and DC-DC converter  
1 Gate  
+0.1  
0.60  
-0.1  
2.3  
4.60  
2 Drain  
3 Source  
+0.15  
-0.15  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25  
Parameter  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Drain current (DC)  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Rating  
Unit  
V
500  
V
30  
1.5  
A
Drain current(pulse) *  
Power dissipation  
ID  
6
20  
A
PD  
W
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
Tstg  
-55 to +150  
* PW 10 s, duty cycle  
1%  
Electrical Characteristics Ta = 25  
Parameter  
Symbol  
Testconditons  
ID=10mA,VGS=0  
Min  
500  
30  
Typ  
Max  
Unit  
V
Drain to source breakdown voltage  
Gate to source breakdown voltage  
Drain cut-off current  
VDSS  
VGSS  
IDSS  
V
ID= 100 A,VDS=0  
VDS=400V,VGS=0  
VGS= 25V,VDS=0  
100  
10  
A
Gate leakage current  
Gate to source cutoff voltage  
Forward transfer admittance  
Drain to source on-state resistance  
Input capacitance  
IGSS  
A
VGS(off) VDS=10V,ID=1mA  
VDS=20V,ID=1A  
2.0  
0.6  
3.0  
V
1.1  
4.0  
160  
45  
5
s
Yfs  
RDS(on) VGS=10V,ID=1A  
Ciss  
6.0  
pF  
pF  
pF  
ns  
ns  
ns  
ns  
VDS=10V,VGS=0,f=1MHZ  
Output capacitance  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on delay time  
5
Rise time  
10  
20  
10  
ID=1A,VGS(on)=0,RL=30  
Turn-off delay time  
td(off)  
tf  
Fall time  
http://www.twtysemi.com  
sales@twtysemi.com  
1 of 1  
4008-318-123  
1

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