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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 零件包装代码： | DPAK(S) | 包装说明： | SC-63, DPAK-3/2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.82 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 450 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.5 A | 最大漏源导通电阻： | 5.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK1151(S)TR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1151(S)TR | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK1151_11 | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1151L | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1151L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK1151L-E | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1151S | TYSEMI |
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Low on-resistance High speed switching No secondary breakdown |
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| 2SK1151S | RENESAS |
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Silicon N Channel MOS FET |
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| 2SK1151S | KEXIN |
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Silicon N-Channel MOSFET |
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| 2SK1151S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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