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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK1151S

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2SK1151S

更新时间： 2024-01-15 20:08:10

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 ISM频段
页数	文件大小	规格书
8页	89K
描述
Silicon N Channel MOS FET

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2SK1151S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SC-63, DPAK-3/2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	5.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK1151S 数据手册

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2SK1151(L), 2SK1151(S)

2SK1152(L), 2SK1152(S)

Silicon N Channel MOS FET

REJ03G0907-0200

(Previous: ADE-208-1245)

Rev.2.00

Sep 07, 2005

Application

High speed power switching

Features

•

•

•

•

•

Low on-resistance

High speed switching

Low drive current

No secondary breakdown

Suitable for switching regulator and DC-DC converter

Outline

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-A

(Package name: DPAK(L)-(1))

RENESAS Package code: PRSS0004ZD-C

(Package name: DPAK(S))

4

D

4

1. Gate

G

2. Drain

3. Source

4. Drain

1

2

3

S

1

2

3

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 1 of 7

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK1151S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1151STL-E	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格
2SK1152	HITACHI	Silicon N-Channel MOS FET	获取价格
2SK1152(L)	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SK1152(S)	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SK1152(S)	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SK1152(S)TL	RENESAS	1.5A, 500V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格

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