2SK1151S

更新时间： 2024-01-25 20:06:47

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲 ISM频段
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8页	89K
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Silicon N Channel MOS FET

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2SK1151S 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SC-63, DPAK-3/2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.82	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	450 V
最大漏极电流 (ID)：	1.5 A	最大漏源导通电阻：	5.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	6 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

2SK1151S 数据手册

2SK1151(L), 2SK1151(S), 2SK1152(L), 2SK1152(S)

Main Characteristics

Power vs. Temperature Derating

Maximum Safe Operation Area

1.0

0.3

0.1

2SK1151

0.03

0.01

Ta = 25

°C

2SK1152

100

150

100

1,000

Case Temperature T_C(°C)

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Typical Transfer Characteristics

Typical Output Characteristics

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

15 V

5 V

V_DS= 20 V

Pulse Test

6 V

Pulse Test

10 V

4.5 V

4 V

–25°C

75°C

V_GS= 3.5 V

T_C= 25

°C

Drain to Source Voltage V_DS(V)

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain to Source Saturation Voltage

vs. Gate to Source Voltage

Static Drain to Source on State

Resistance vs. Drain Current

100

Pulse Test

V_GS= 10 V

2 A

15 V

1 A

I_D= 0.5 A

0.05 0.1 0.2

0.5 1.0

Gate to Source Voltage V_GS(V)

Drain Current I_D(A)

Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 3 of 7

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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2SK1152(S)	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SK1152(S)	RENESAS	暂无描述	获取价格
2SK1152(S)TL	RENESAS	1.5A, 500V, 6ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET	获取价格