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2SK1151S

更新时间: 2024-02-04 23:53:24
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瑞萨 - RENESAS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲ISM频段
页数 文件大小 规格书
8页 89K
描述
Silicon N Channel MOS FET

2SK1151S 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Not Recommended
零件包装代码:DPAK(S)包装说明:SC-63, DPAK-3/2
针数:4Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.82外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:450 V
最大漏极电流 (ID):1.5 A最大漏源导通电阻:5.5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-PSSO-G2
元件数量:1端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):6 A表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON

2SK1151S 数据手册

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2SK1151(L), 2SK1151(S), 2SK1152(L), 2SK1152(S)  
Static Drain to Source on State  
Resistance vs. Temperature  
Forward Transfer Admittance  
vs. Drain Current  
10  
5
ID = 2 A  
VDS = 20 V  
Pulse Test  
VGS = 10 V  
Pulse Test  
8
–25°C  
2
1.0  
0.5  
6
TC = 25°C  
1 A  
75°C  
0.5 A  
4
0.2  
0.1  
2
0
–40  
0
40  
80  
120  
160  
0.1 0.2  
0.5 1.0  
2
5
50  
5
0.05  
Case Temperature TC (°C)  
Drain Current ID (A)  
Body to Drain Diode Reverse  
Recovery Time  
Typical Capacitance  
vs. Drain to Source Voltage  
1,000  
1,000  
100  
VGS = 0  
f = 1 MHz  
di/dt = 100 A/µs, Ta = 25°C  
VGS = 0  
Pulse Test  
500  
Ciss  
200  
100  
50  
Coss  
10  
1
20  
10  
Crss  
0.05 0.1 0.2  
0.5 1.0  
2
5
0
10  
20  
30  
40  
Reverse Drain Current IDR (A)  
Drain to Source Voltage VDS (V)  
Dynamic Input Characteristics  
Switching Characteristics  
500  
400  
300  
20  
100  
50  
VGS = 10 V VDD = 30 V  
100 V  
250 V  
PW = 2 µs, duty < 1%  
16  
12  
8
VDS  
400 V  
td (off)  
20  
10  
tf  
VGS  
200  
100  
td (on)  
tr  
5
ID = 1.5 A  
VDD = 400 V  
250 V  
100 V  
4
2
1
0
10  
0
2
4
6
8
0.05 0.1 0.2  
0.5 1.0  
2
Gate Charge Qg (nc)  
Drain Current ID (A)  
Rev.2.00 Sep 07, 2005 page 4 of 7  

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