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2SK113Y

更新时间： 2024-01-31 17:46:09

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	45K
描述
TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 50MA I(DSS) \| TO-18

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技术参数
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2SK113Y 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	FET 技术：	JUNCTION
JESD-609代码：	e0	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

2SK113Y 数据手册

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与2SK113Y相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK1151	HITACHI	Silicon N-Channel MOS FET	获取价格
2SK1151	RENESAS	Silicon N Channel MOS FET	获取价格
2SK1151(L)	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SK1151(L)(S)\|2SK1152(L)(S)	ETC		获取价格
2SK1151(S)	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 450V, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
2SK1151(S)	RENESAS	1.5A, 450V, 5.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, DPAK-3/2	获取价格

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