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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (ID)： | 12 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.13 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SK1115 | TOSHIBA | TRANSISTOR 20 A, 60 V, 0.09 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1116 | TOSHIBA | TRANSISTOR 25 A, 100 V, 0.1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1117 | TOSHIBA | TRANSISTOR 6 A, 600 V, 1.25 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, FET General Purpo |
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| 2SK1118 | TOSHIBA | N Channel MOS Type(for High Speed, High Current DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Div |
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| 2SK1119 | TOSHIBA | N CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE AP |
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| 2SK1119_07 | TOSHIBA | Silicon N Channel MOS Type (?#8722;MOSII.5) DC−DC Converter and Motor Drive Applicat |
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