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2SK1070PICTR-E

更新时间： 2024-11-26 12:58:55

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		晶体小信号场效应晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
5页	58K
描述
50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3

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2SK1070PICTR-E 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.07	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.05 A	FET 技术：	JUNCTION
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Bismuth (Sn/Bi)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK1070PICTR-E 数据手册

2SK1070

Silicon N-Channel Junction FET

REJ03G0574-0200

(Previous ADE-208-1175 (Z))

Rev.2.00

Mar.14.2005

Application

•

Low frequency / High frequency amplifier

Outline

RENESAS Package code: PLSP0003ZB-A

(Package name: MPAK)

1. Drain

2. Source

3. Gate

Absolute Maximum Ratings

(Ta = 25°C)

Item

Gate to drain voltage

Gate to source voltage

Drain current

Symbol

V_GDO

V_GSO

I_D

Ratings

–22

Unit

–22

°C

Gate current

I_G

Channel power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

Pch

Tch

150

Tstg

–55 to +150

°C

Rev.2.00, Mar.14.2005, page 1 of 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK1070PICUL	HITACHI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK1070PICUL	RENESAS	获取价格	50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3
2SK1070PICUR	HITACHI	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.05A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK1070PICUR	RENESAS	获取价格	50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3
2SK1070PID	HITACHI	获取价格	暂无描述
2SK1070PID	RENESAS	获取价格	暂无描述
2SK1070PIDTL	RENESAS	获取价格	50mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, MPAK-3
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