2SJ380

更新时间： 2024-09-27 22:33:23

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		晶体驱动器转换器开关继电器晶体管功率场效应晶体管脉冲电机 DC-DC转换器 PC 局域网
页数	文件大小	规格书
5页	284K
描述
P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, RELAY DRIVE, DC-DC CONVERTER AND MOTOR DRIVE APPLICATIONS)

阅读下载

中文翻译

获取价格

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

2SJ380 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-67	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
Samacsys Confidence：	4	Samacsys Status：	Released
Samacsys PartID：	1005682	Samacsys Pin Count：	3
Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)	Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：	TO-220NIS	Samacsys Released Date：	2018-02-13 14:44:38
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	312 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	35 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SJ380_07	TOSHIBA	获取价格	Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Applications
2SJ380_09	TOSHIBA	获取价格	Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Applications
2SJ380F	TOSHIBA	获取价格	Relay Drive, DC-DC Converter and Motor Drive Applications
2SJ381	SANYO	获取价格	Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SJ382	SANYO	获取价格	Very High-Speed Switching Applications
2SJ383	SANYO	获取价格	Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SJ384(L	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-262AA
2SJ384(L)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-262AA
2SJ384(S)	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-263AB
2SJ384(S)TL	HITACHI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta