生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SJ387(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
![]() |
2SJ387(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
![]() |
2SJ387L | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
![]() |
2SJ387L | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
![]() |
2SJ387L-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
![]() |
2SJ387S | KEXIN |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOSFET |
![]() |
2SJ387S | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
![]() |
2SJ387S | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
![]() |
2SJ387STL-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
![]() |
2SJ388(L) | RENESAS |
获取价格 |
0.2ohm, POWER, FET, DPAK-3 |
![]() |