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2SJ387S

更新时间： 2024-02-10 09:01:27

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科信 - KEXIN		晶体晶体管开关脉冲
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2页	48K
描述
Silicon P-Channel MOSFET

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2SJ387S 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-63
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	20	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ387S 数据手册

SMDTTyyppee

MOSFIECT

Silicon P-Channel MOSFET

2SJ387S

TO-252

Unit: mm

Features

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

6.50

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

Low on-resistance

Low drive current

2.5 V Gate drive device can be driven from 3 V Source

Suitable for Switching regulator, DC - DC converter

0.127

max

+0.1

0.80

-0.1

+0.1

0.60

-0.1

1 Gate

2.3

4.60

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

Rating

Unit

VDSS

VGSS

-20

Gate to source voltage

Drain current (DC)

-10

Drain current(pulse) *

Power dissipation

-40

Channel temperature

Storage temperature

Tch

Tstg

150

-55 to +150

* PW

10 s; d

1%.

www.kexin.com.cn

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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