5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2SJ389L
2SJ389L PDF预览

2SJ389L

更新时间： 2024-01-05 23:09:08
品牌 Logo 应用领域
HITACHI-METALS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 46K
描述
Silicon P Channel MOS FET

阅读下载

获取价格

2SJ389L 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.46外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

2SJ389L 数据手册

 浏览型号2SJ389L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SJ389L的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SJ389L的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SJ389L的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SJ389L的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SJ389L的Datasheet PDF文件第7页 
2SJ389 L , 2SJ389 S  
Silicon P Channel MOS FET  
Application  
DPAK–2  
4
High speed power switching  
4
3
Features  
1
2
• Low on–resistance  
2, 4  
• High speed switching  
• Low drive current  
1
2
3
• 4 V gate drive device can be driven from  
5 V source  
• Suitable for Switching regulator, DC – DC  
converter  
1
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
• Avalanche Ratings  
3
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source voltage  
V
–60  
V
DSS  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source voltage  
V
±20  
V
GSS  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
–10  
A
D
———————————————————————————————————————————  
Drain peak current  
I
*
–40  
A
D(pulse)  
———————————————————————————————————————————  
Body–drain diode reverse drain current  
I
–10  
A
DR  
———————————————————————————————————————————  
Avalanche current  
I
***  
–10  
A
AP  
———————————————————————————————————————————  
Avalanche energy  
E
***  
8.5  
mJ  
AR  
———————————————————————————————————————————  
Channel dissipation  
Pch**  
30  
W
———————————————————————————————————————————  
Channel temperature  
Tch  
150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %  
*
** Value at Tc = 25 °C  
*** Value at Tch = 25 °C, Rg ≥ 50 Ω  
1234567

下载PDF

与2SJ389L相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2SJ389S HITACHI-METALS Silicon P Channel MOS FET

获取价格
2SJ390 ETC

获取价格
2SJ399 HITACHI Silicon P-Channel MOS FET

获取价格
2SJ399 TYSEMI Low frequency power switching

获取价格
2SJ399 RENESAS Silicon P-Channel MOS FET

获取价格
2SJ399ZF HITACHI Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 30V, 7.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

获取价格

与2SJ389L相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证