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2SJ387(S)-(2)

更新时间： 2024-02-28 15:04:56

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瑞萨 - RENESAS		/
页数	文件大小	规格书
12页	53K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA

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2SJ387(S)-(2) 技术参数

2SJ387(L), 2SJ387(S)

Silicon P-Channel MOS FET

ADE-208-1196 (Z)

1st. Edition

Mar. 2001

Application

High speed power switching

Features

•

Low on-resistance

Low drive current

2.5 V Gate drive device can be driven from 3 V Source

Suitable for Switching regulator, DC - DC converter

Outline

DPAK-2

1. Gate

2. Drain

3. Source

4. Drain

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ387(S)-(3)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)TL	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ387(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ387L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ387L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ387L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格