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2SJ387(S)-(2)

更新时间： 2024-01-24 12:44:47
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS /
页数 文件大小 规格书
12页 53K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA

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2SJ387(S)-(2) 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：10 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

2SJ387(S)-(2) 数据手册

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2SJ387(L), 2SJ387(S)  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
–20  
–16  
–12  
–8  
Pulse Test  
–5 V  
–3 V  
V
= 0, 5 V  
GS  
–4  
0
–0.4 –0.8  
–1.2 –1.6  
–2.0  
(V)  
Source to Drain Voltage  
V
SD  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
1
Tc = 25°C  
D = 1  
0.5  
0.3  
0.1  
θ
θ
γ
θ
ch – c(t) = s (t) • ch – c  
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C  
PW  
T
P
DM  
D =  
0.03  
0.01  
PW  
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
Pulse Width PW (S)  
7
1...45678910...12

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