生命周期: | Obsolete | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.84 | 配置: | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 10 A | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 20 W |
子类别: | Other Transistors | 表面贴装: | YES |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SJ387(S)-(3) | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA | |
2SJ387(S)TL | HITACHI |
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暂无描述 | |
2SJ387(S)TR | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta | |
2SJ387L | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET | |
2SJ387L | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET | |
2SJ387L-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET | |
2SJ387S | KEXIN |
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Silicon P-Channel MOSFET | |
2SJ387S | HITACHI |
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Silicon P-Channel MOS FET | |
2SJ387S | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET | |
2SJ387STL-E | RENESAS |
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Silicon P Channel MOS FET |