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2SJ387(S)-(2)

更新时间： 2024-01-14 04:58:22

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瑞萨 - RENESAS		/
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12页	53K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA

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2SJ387(S)-(2) 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ387(S)-(2) 数据手册

2SJ387(L), 2SJ387(S)

Typical Capacitance vs.

Drain to Source Voltage

Body to Drain Diode Reverse

Recovery Time

10000

5000

1000

500

2000

1000

200

100

Ciss

Coss

500

Crss

200

100

= 0

di / dt = 20 A / µs

f = 1 MHz

= 0, Ta = 25 °C

–10

–20

–30

–40 –50

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

Reverse Drain Current

(A)

Drain to Source Voltage V

(V)

Switching Characteristics

Dynamic Input Characteristics

1000

500

–10

–20

–30

d(off)

= –5 V

–10 V

–15 V

–4

–8

–12

200

100

= –5 V

–10 V

–15 V

= –4 V, V

= –10 V

PW = 5 µs, duty < 1 %

–40

–50

–16

–20

d(on)

= –10 A

–0.1 –0.3

–1

–3

–10 –30 –100

(A)

100

Drain Current

Gate Charge Qg (nc)

1...3 4 567 8 9...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ387(S)-(3)	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA	获取价格
2SJ387(S)TL	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SJ387(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ387L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
2SJ387L	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格
2SJ387L-E	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格