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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2SJ387(S)-(3) | RENESAS | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,20V V(BR)DSS,10A I(D),TO-252AA |
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| 2SJ387(S)TL | HITACHI | 暂无描述 |
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| 2SJ387(S)TR | HITACHI | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 20V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ387L | HITACHI | Silicon P-Channel MOS FET |
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| 2SJ387L | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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| 2SJ387L-E | RENESAS | Silicon P Channel MOS FET |
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