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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-F3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3.5 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ382 | SANYO |
获取价格 |
Very High-Speed Switching Applications |
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| 2SJ383 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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| 2SJ384(L | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262AA |
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| 2SJ384(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262AA |
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| 2SJ384(S) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263AB |
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| 2SJ384(S)TL | HITACHI |
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Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ384(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| 2SJ384L | ETC |
获取价格 |
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| 2SJ384S | ETC |
获取价格 |
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| 2SJ386 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
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