5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.84 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 12 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 0.082 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ384(L | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262AA |
|
| 2SJ384(L) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-262AA |
|
| 2SJ384(S) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-263AB |
|
| 2SJ384(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SJ384(S)TR | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| 2SJ384L | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SJ384S | ETC |
获取价格 |
|
|
| 2SJ386 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon P-Channel MOS FET |
|
| 2SJ386 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
| 2SJ386TZ-E | RENESAS |
获取价格 |
Silicon P Channel MOS FET |
|
LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
