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2SJ382

更新时间： 2024-01-04 01:16:40

品牌	Logo	应用领域
三洋 - SANYO		晶体开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	91K
描述
Very High-Speed Switching Applications

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2SJ382 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	12 V	最大漏极电流 (ID)：	4 A
最大漏源导通电阻：	0.38 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	20 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SJ382 数据手册

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与2SJ382相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ383	SANYO	Ultrahigh-Speed Switching Applications	获取价格
2SJ384(L	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-262AA	获取价格
2SJ384(L)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-262AA	获取价格
2SJ384(S)	ETC	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 15A I(D) \| TO-263AB	获取价格
2SJ384(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格
2SJ384(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 60V, 0.19ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta	获取价格

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