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2SJ333L

更新时间： 2024-02-08 04:24:26
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其他 - ETC 晶体晶体管开关脉冲
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描述

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2SJ333L 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.28外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：7 A最大漏源导通电阻：0.22 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SJ333L 数据手册

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2SJ333 L , 2SJ333 S  
Silicon P-Channel MOS FET  
Application  
DPAK–1  
4
High speed power switching  
4
3
Features  
1
2
• Low on–resistance  
• High speed switching  
• Low drive current  
2, 4  
1
2
3
• 4 V Gate drive device can be driven from 5 V  
Source  
• Suitable for Switching regulator, DC – DC  
converter  
1
1. Gate  
2. Drain  
3. Source  
4. Drain  
3
Table 1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Item  
Symbol  
Ratings  
Unit  
———————————————————————————————————————————  
Drain to source voltage  
V
–30  
V
DSS  
———————————————————————————————————————————  
Gate to source voltage  
V
±20  
V
GSS  
———————————————————————————————————————————  
Drain current  
I
–7  
A
D
———————————————————————————————————————————  
Drain peak current  
I
*
–28  
A
D(pulse)  
———————————————————————————————————————————  
Body–drain diode reverse drain current  
I
–7  
A
DR  
———————————————————————————————————————————  
Channel dissipation  
Pch**  
20  
W
———————————————————————————————————————————  
Channel temperature  
Tch  
150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
———————————————————————————————————————————  
PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1 %  
** Value at Tc = 25°C  
*
1234567

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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