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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Lifetime Buy | 零件包装代码： | SC-64 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.73 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 180 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SJ338-O(2-7J1B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7J1B, SC-64, 3 PIN, FET |
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| 2SJ338-O(TE16R1) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 |
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| 2SJ338TE16R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, 5 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ338Y | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-7J1B, 3 PIN, FET Ge |
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| 2SJ338-Y | TOSHIBA |
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TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
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| 2SJ338-Y(2-7B1B) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 1 A, 180 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-7B1B, SC-64, 3 PIN, FET |
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| 2SJ338Y(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2SJ338-Y(TE16R1) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 |
|
| 2SJ338-Y(TE16R1,Q) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,180V V(BR)DSS,1A I(D),TO-252 |
|
| 2SJ339 | SANYO |
获取价格 |
Ultrahigh-Speed Switching Applications |
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