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2SJ319(S)-(3)

更新时间： 2024-02-23 11:15:21
品牌 Logo 应用领域
日立 - HITACHI /
页数 文件大小 规格书
11页 51K
描述
Transistor

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2SJ319(S)-(3) 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.84配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：20 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

2SJ319(S)-(3) 数据手册

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2SJ319(L), 2SJ319(S)  
Reverse Drain Current vs.  
Source to Drain Voltage  
–5  
–4  
–3  
–2  
–1  
Pulse Test  
–10 V  
V
= 0, 5 V  
–1.6  
GS  
0
–0.4 –0.8 –1.2  
–2  
Source to Drain Voltage  
V
(V)  
SD  
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
3
1
Tc = 25°C  
D = 1  
0.5  
0.3  
0.1  
θ
θ
γ
θ
ch – c(t) = s (t) • ch – c  
ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C  
PW  
T
P
DM  
D =  
0.03  
0.01  
PW  
T
10 µ  
100 µ  
1 m  
10 m  
100 m  
1
10  
Pulse Width PW (S)  
6
1...3456789...11

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