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2SJ319(S)-(3)

更新时间： 2024-01-21 10:08:45

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日立 - HITACHI		/
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11页	51K
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Transistor

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2SJ319(S)-(3) 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

2SJ319(S)-(3) 数据手册

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Drain Current

Drain to Source Saturation Voltage vs.

Gate to Source Voltage

–20

–16

–12

–8

Pulse Test

= –10 V

Pulse Test

= –5 A

0.5

–2 A

–1 A

–4

0.2

0.1

–0.2

–0.5

–1

–2

–5

(A)

–10

–4

–8

–16

–20

(V)

Gate to Source Voltage

Drain Current

Forward Transfer Admittance vs.

Drain Current

Static Drain to Source on State Resistance

vs. Temperature

Tc = –25 °C

–2 A

= –5 A

25 °C

75 °C

0.5

–1 A

0.2

0.1

= –10 V

Pulse Test

= –10 V

Pulse Test

–40

–0.05 –0.1 –0.2 –0.5 –1 –2

–10

–5

120

160

Drain Current I

(A)

Case Temperature Tc (°C)

1 2 345 6 7...11

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与2SJ319(S)-(3)相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SJ319(S)TL	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
2SJ319(S)TR	HITACHI	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal	获取价格
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2SJ319L	HITACHI	Silicon P-Channel MOS FET	获取价格
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2SJ319S	RENESAS	Silicon P Channel MOS FET	获取价格