2SJ181STR-E

更新时间： 2024-01-27 11:51:43

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瑞萨 - RENESAS		晶体晶体管场效应晶体管
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7页	104K
描述
Silicon P Channel MOS FET

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2SJ181STR-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Not Recommended
零件包装代码：	DPAK(S)	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
最大漏极电流 (ID)：	0.5 A	最大漏源导通电阻：	25 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	20 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	1 A	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SJ181STR-E 数据手册

2SJ181(L), 2SJ181(S)

Preliminary

Package Dimensions

• 2SJ181(L)

Package Name

JEITA Package Code

RENESAS Code

PRSS0004ZD-A

Previous Code

MASS[Typ.]

0.42g

Unit: mm

DPAK(L)-(1)

⎯

DPAK(L)-(1) / DPAK(L)-(1)V

6.5 0.5

5.4 0.5

2.3 0.2

0.55 0.1

1.2 0.3

1.15 0.1

0.8 0.1

0.55 0.1

2.29 0.5

• 2SJ181(S)

Package Name

JEITA Package Code

SC-63

RENESAS Code

PRSS0004ZD-C

Previous Code

MASS[Typ.]

Unit: mm

DPAK(S)

DPAK(S) / DPAK(S)V

0.28g

2.3 0.2

6.5 0.3

5.6 0.5

(5.1)

0.55 0.1

0 – 0.25

(1.2)

0.55 0.1

1.0 Max.

2.29 0.5

0.8 0.1

2.29 0.5

Ordering Information

Orderable Part Number

2SJ181L-E

Quantity

Shipping Container

2160 pcs

3000 pcs

Box (Tube)

Taping

2SJ181STR-E

R07DS0395EJ0300 Rev.3.00

May 16, 2011

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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