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2SD991

更新时间： 2024-09-13 23:20:35

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其他 - ETC		晶体晶体管
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4页	34K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| DARLINGTON \| NPN \| 300V V(BR)CEO \| 6A I(C) \| TO-220AB

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2SD991(K)

Silicon NPN Triple Diffused

Application

High voltage switching, igniter

Outline

TO-220AB

1. Base

2. Collector

(Flange)

3. Emitter

3000 Ω 150 Ω

(Typ) (Typ)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Item

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

Unit

Collector to base voltage

Collector to emitter voltage

Emitter to base voltage

Collector current

300

Collector peak current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Note: 1. Value at T_C= 25°C.

I_C(peak)

P_C*¹

°C

150

Tstg

–55 to +150

12 3 4

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