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2SD993

更新时间： 2024-09-15 06:19:55

品牌	Logo	应用领域
无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	189K
描述
Silicon NPN Power Transistor

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2SD993 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.58
Base Number Matches：	1

2SD993 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD993

DESCRIPTION

·High Breakdown Voltage-

: V_CBO= 1500V (Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 10V(Max.)@ I_C= 2.5A

·Built-in Damper Diode

APPLICATIONS

·Designed for horizontal deflection output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

1500

600

Collector Current- Continuous

Collector Current- Peak

I_CP

Collector Power Dissipation

@ T_C= 25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

-40~150

T_stg

isc Website：www.iscsemi.cn

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