5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.34 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 8000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD986-K-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD986L | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD986L | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SD986-L | NEC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SD986-L | RENESAS |
获取价格 |
1500mA, 80V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
|
| 2SD986-L-AZ | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 2SD986M | NEC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 80V V(BR)CEO | 1.5A I(C) | TO-126 |
|
| 2SD986M | ISC |
获取价格 |
Transistor |
|
| 2SD986-M | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
| 2SD986-M-AZ | RENESAS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
