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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.34 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1.5 A | 集电极-发射极最大电压： | 80 V |
| 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 2000 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SD986-M-AZ | RENESAS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD986-M-AZ | NEC |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| 2SD987 | ETC |
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NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR |
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| 2SD991 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB |
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| 2SD991(K) | HITACHI |
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POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN |
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| 2SD991K | ETC |
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| 2SD992 | NEC |
获取价格 |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |
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| 2SD992K | ETC |
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BJT |
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| 2SD992L | ETC |
获取价格 |
BJT |
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| 2SD992M | ETC |
获取价格 |
BJT |
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