生命周期: | Transferred | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.34 |
外壳连接: | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC): | 1.5 A |
集电极-发射极最大电压: | 80 V | 配置: | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
最小直流电流增益 (hFE): | 2000 | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | NO | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SD987 | ETC |
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NPN SILICON TRIPLE DIFFUSED DARLINGTON TRANSISTOR | |
2SD991 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | DARLINGTON | NPN | 300V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB | |
2SD991(K) | HITACHI |
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POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220AB, 3 PIN | |
2SD991K | ETC |
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2SD992 | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 | |
2SD992K | ETC |
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BJT | |
2SD992L | ETC |
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BJT | |
2SD992M | ETC |
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BJT | |
2SD992N | ETC |
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BJT | |
2SD992-Z | NEC |
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NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR MP-3 |